研究環境 // Facilities

EB蒸着装置 // e-beam evaporation

e-beam (EB) evaporation facility
  • TI, Alなどの金属材料薄膜の形成
    Metal film deposition, such as Ti, Al, etc.
  • 水晶振動子を使った膜厚のその場モニターが可能
    In-situ deposition thickness control by X-tal monitor
  • 小片試料から4インチウェハに対応
    Accept small pieces to 4-inch wafers.

GaN用のICP-RIE // ICP-RIE for GaN dry etching

  • 塩素系ガスを用いた高速エッチング装置
    High throughput dry etching using Cl gas.
  • 小片試料から4インチウェハに対応
    Accept small pieces to 4-inch wafers.
ICP-RIE

4-inch wafer probing station

  • 4インチウェハー対応プローバー
    Accept small pieces to 4-inch wafers
  • 4機の精密マニピュレータ
    Four precision manipulators for probing
  • 同軸プローブ針を使った微小電流計測
    Coaxial probing needles for low noise measurement

2-inch probing station

  • 2インチウェハー対応プローバー
    Accept small pieces to 2-inch wafers
  • 3機の精密マニピュレータ
    Three precision manipulators for probing
  • 同軸プローブ針を使った微小電流計測
    Coaxial probing needles for low noise measurement

Semiconductor Parameter Analyzer

  • 半導体パラメータアナライザー B1500A ( Agilent Technologies)
    Semiconductor parameter analyzer B1500A (Agilent Technologies)
  • ソースメジャーユニット（SMU) 6基
    6 Source Measure Unit
  • LCRメータ 4284A (Agilent Technologies)
    LCR meter 4824A (Agilent Technologies)
  • MOSキャパシタなどのC-V, conductance測定
    C-V and conductance characterization of MOS capacitors
  • 20 Hz – 1 MHz