概要
IT社会を支える情報通信機器、電気自動車など、私たちの生活は「電気」で動く電化製品に囲まれています。こうした電化製品を動かす電力の供給源は、これまでの発電・送電技術に加え、太陽電池や大容量バッテリーなど、選択肢が広がっています。電力を多様な供給源から目的にあわせて効率的に変換し供給する上で、高効率なパワーデバイスの実現が求められ、窒化物半導体電子デバイスは、電力制御などの優れた特性をもち、実用化に向けた検討がなされています。
本研究室では、窒化物半導体がもつ特性を引き出す、新しいデバイスプロセス技術の開発を目的として、信頼性の高い絶縁膜のダメージレス形成や、イオン注入法などの技術を応用したデバイス開発、プロセスダメージの評価などの研究を行っています。
新たな窒化物半導体(GaN)集積回路の検討
豊橋技術科学大学には、集積回路の作製評価が可能な世界的にもユニークな LSI工場を有しており、技術やノウハウの蓄積があります。
この利を活かし て、他の研究機関では困難なGaN集積回路の検討を進めています。
窒化物半導体の集積回路に新しい応用に向けて
これまでエレクトロニクスは、室温など、人間の生活環境で活躍してきました。一方、高温や放射線環境はエレクトロニクスが苦手な領域。GaNデバイスはこうした過酷環境のエレクトロニクスを可能とするポテンシャルがあります。
これまでのエレクトロニクスの限界を広げることは、私たちの暮らしに大きな貢献ができると考えています。そのためには、さまざまな環境で自立して動くことができるシステムを構築する必要があります。材料の物性を理解し、応用する技術を開発し、それを新しいシステムの実現に繋げていきたいと考えています。